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深圳市龙岗区甘李五路一号科伦特大厦研发楼905室
首页 > IGBT 和 FET > MOSFETs
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET 功率 |
| RoHS | 否 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.025 Ohms |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | -30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 15 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 功率耗散 | 125 W |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | TO-220AB |
| 下降时间 | 218 ns |
| 上升时间 | 340 ns |
| Standard Pack Qty | 50 |
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| 图片 | 编号 | 型号 | 品牌 | 封装 | 包装数量 | 数量(库存) | 价格 | 购买 | |
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ECS012319 | NTD4810NT4G | ON | DPAK | 2500 | -+ | 登录查看 | 购买 |
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ECS012320 | NTD4863NT4G | ON | DPAK | 2500 | -+ | 登录查看 | 购买 |
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ECS012326 | NTGS3441T1 | ON | TSOP-6 | 3000 | -+ | 登录查看 | 购买 |
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ECS012327 | NTHD3101FT1G | ON | CHIPFET-8 | 3000 | -+ | 登录查看 | 购买 |
总体评价：
产品质量：
物流速度：
服务态度：
采购人的评语：
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